인피니언이 저전압 전력 변환 시스템의 전력 밀도를 항상시키는 초소형 게이트 드라이버 IC를 출시했다

SMPS에서 전력 MOSFET을 턴온, 턴오프 할 때마다 기생 인덕턴스가 영 전위 이상을 일으켜서 게이트 드라이버 IC를 잘못 트리거 할 수 있다. 이러한 문제를 방지하도록 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 비용 효율적이고 컴팩트한 EiceDRIVER 1EDN TDI(truly differential inputs, 완전 차동 입력) 1채널 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다.

새로운 디바이스 1EDN7550U는 초소형(1.5mmx 1.1mmx0.39mm) 6핀 리드리스 TSNP 패키지로 제공된다. 인피니언의 TDI 게이트 드라이버 IC는 고전력 밀도, 고효율 디자인의 핵심으로 경쟁 솔루션 대비 시스템 비용을 낮춘다.

TSNP 패키지(1EDN7550U)는 SOT-23 제품 대비 5배 더 작은 PCB 면적을 차지한다. EiceDRIVER 1EDN TDI는 애플리케이션 레벨에서 3.3V PWM 입력 신호로 최대 ±70V의 정적 영 전위 이상과 ±150Vpeak의 순간적인 영 전위 이상을 견딜 수 있다. 초소형 크기와 영 전위 이상 견고성을 결합함으로써 이 게이트 드라이버 IC 2개를 48V 하프 브리지 구성으로 작동할 수 있다. 설계자들은 PCB 레이아웃 적합한 위치에 이들 게이트 드라이버 IC를 자유롭게 배치해서 업계 최고의 전력 밀도를 달성할 수 있다.

리드리스 TSNP 패키지의 EiceDRIVER 1EDN7550U를 사용하여 25V 및 40V OptiMOS MOSFET을 스위치드 커패시터 토폴로지에서 1.2MHz 스위칭 주파수로 작동할 수 있다. 이러한 애플리케이션에서 3060W/in3의 높은 전력 밀도와 97.1% 피크 효율(보조 손실 포함)을 달성한다.

EiceDRIVER 1EDN TDI 제품군의 표준 SOT-23 6핀 패키지에 더해서 초소형 6핀 TSNP 패키지 제품을 공급하게 되었다.